Las compañías surcoreanas buscan fabricar memorias NAND de hasta 286 capas en sus plantas chinas, pese a las restricciones de exportación de EEUU y al avance de su competidor local YMTC.
Samsung y SK Hynix buscan modernizar sus plantas en China para avanzar en el desarrollo de chips NAND.
Samsung Electronics y SK Hynix avanzan con planes para modernizar sus plantas de semiconductores en China y fabricar chips de memoria más avanzados. El objetivo es responder al crecimiento de la competencia local y abastecer la demanda global impulsada por la inteligencia artificial, en un contexto marcado por las restricciones de exportación de Estados Unidos.
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Ambas compañías surcoreanas buscan elevar la tecnología de sus fábricas chinas para producir memorias NAND de más de 200 capas, un nivel que ya alcanzan en sus instalaciones de Corea del Sur.
La modernización, sin embargo, está condicionada por las restricciones impuestas por Washington desde 2022 para limitar el acceso de China a tecnología avanzada. Samsung y SK Hynix deben solicitar licencias estadounidenses cada año para instalar determinados equipos fabricados en EEUU, incluidas máquinas de grabado utilizadas en la producción de semiconductores.
En 2025, la Oficina de Industria y Seguridad del Departamento de Comercio estadounidense señaló que no tenía previsto autorizar mejoras tecnológicas ni ampliaciones de capacidad en las fábricas de fabricantes extranjeros de chips instaladas en China. Estas limitaciones redujeron el margen de maniobra de las compañías surcoreanas y contribuyeron a la pérdida de participación frente a Yangtze Memory Technologies Co (YMTC), un competidor chino en expansión.
Samsung y SK Hynix confirmaron a la agencia Reuters que están realizando actualizaciones en sus instalaciones y que avanzan en estrecha consulta con Washington, debido a las sanciones. Sin embargo, no brindaron detalles sobre los planes de producción, que el medio dio a conocer por primera vez.
En el caso de Samsung, la empresa trabaja para llevar su planta de Xi’an, en el noroeste de China, a una tecnología de fabricación más avanzada. Según dos de las fuentes citadas por Reuters, la instalación produce actualmente chips NAND de unas 200 capas y representa alrededor del 40% de la producción mundial de este tipo de memoria de la compañía.
El proyecto contempla adaptar las instalaciones para fabricar chips NAND V9 de 286 capas. Una de las fuentes indicó que Samsung apunta a alcanzar una producción mensual de 5.000 obleas en diciembre de este año y elevarla a 40.000 en diciembre de 2027.
La empresa aseguró que la actualización cumple con las normas estadounidenses de control de exportaciones. "La mejora tiene como objetivo satisfacer la creciente demanda de clientes de todo el mundo, incluidos los de EEUU. La empresa no está ampliando su capacidad de producción ni construyendo nuevas instalaciones de fabricación, detallaron desde Samsung.
Por su parte, SK Hynix también prepara cambios en sus operaciones chinas. Según cito Reuters, la compañía planea avanzar hacia la fabricación de memorias NAND de 240 capas o más en su planta de Dalian, en el noreste del país. Actualmente, la instalación produce chips de 192 capas, de acuerdo con una de las fuentes.
La fábrica pasó a manos de SK Hynix en 2021, cuando adquirió el negocio de memorias NAND de Intel. Es la única planta de fabricación de chips NAND de esa operación, que ahora funciona bajo el nombre de Solidigm y se prepara para salir a bolsa en Estados Unidos.
En la actualidad, SK Hynix cuenta con autorización para fabricar chips de hasta 240 capas en Dalian. Además, la empresa podría solicitar permiso a Washington para realizar allí tareas de investigación y desarrollo sobre memorias de más de 300 capas, un paso que le permitiría preparar el terreno para una eventual producción en Estados Unidos.
En paralelo, SK Hynix mantiene conversaciones con el gobierno de Donald Trump sobre sus planes para construir una nueva fábrica de memorias NAND en territorio estadounidense.
Las memorias NAND son un tipo de semiconductor capaz de conservar datos sin necesidad de recibir alimentación eléctrica. Se utilizan en teléfonos inteligentes, computadoras personales y unidades de estado sólido (SSD), incluidas las destinadas a centros de datos que procesan cargas de trabajo de inteligencia artificial.
La cantidad de capas de una memoria es una variable clave para su rendimiento y sus costos: a mayor número de capas, más datos pueden almacenarse en un mismo chip y menor puede ser el costo por unidad de almacenamiento.
Por eso, la posibilidad de fabricar memorias NAND más avanzadas en China tiene implicancias tanto comerciales como geopolíticas. Samsung y SK Hynix buscan mantener la competitividad de sus instalaciones frente a YMTC, pero deben hacerlo dentro de un marco regulatorio estadounidense que limita el acceso a equipos y tecnologías necesarios para avanzar en la producción.